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AP30P10D

AP30P10D

-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET


Description

The AP30P10D uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 4.5V. This
device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.


General Features
VDS = -100V ID =-30 A
RDS(ON) < 95mΩ @ VGS=10V


Application
Battery protection
Load switch
Uninterruptible power supply
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