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AP15G04NF

AP15G04NF

40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET


产品描述

AP15G04NF 采用先进的沟槽技术
提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和
在低至 4.5V 的栅极电压下工作。这
设备适合用作
电池保护或其他开关应用。


产品特点

VDS = 40V ID = 21A
导通电阻 < 17mΩ @ VGS=10V
VDS = -40V ID =-18A
导通电阻 < 45mΩ @ VGS=-10V



产品应用

电池保护无线充电
升压驱动器
无刷电机
负载开关 不间断电源











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