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AP8G10NF

AP8G10NF

100V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET



产品描述

AP8G06NF 采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS（ON）、低栅极电荷和低至 4.5V 的栅极电压运行。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。

产品特点

VDS = 100V ID =8A
RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V

VDS = -100V ID =-6.5A
RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V


产品应用

电池保护
负载开关 不间断电源











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